обратный пн переход

Поле EΣ перебрасывает через переход каждый оказавшийся на его грани­цах неосновной носитель заряда. Вследствие этого концентрации неосновного носителя заряда на границах с пере­ходом (т.е. при X=0) всегда близки к нулю (рис. 2в). Граничные значения неосновного носителя заряда рn(0) и np(0

Распределение концентрации не основных носителей заряда в базе и эмиттере

Основным процессом, формирующим эти НЗ, является процесс термогенерации электронно-дырочных пар. Электроны тех электронно-дырочных пар, которые образовались в р - об­ласти на расстояниях, превышающих Ln , рекомбинируют не доходя до перехо­да. И аналогично дырки, образовавшиеся в n-области на удалении от перехода Lp и более, рекомбинируют не доходя до него.

б) Действие на неосновные носители заряда. Под действием поля EΣ  не­основные носители заряда дрейфуют че­рез р-n - переход, вследст­вие чего образуется дрей­фовый ток   (рис. 2б). Источником этих носителей заряда являются объем самого перехода и, главным образом, объемы р- и n-областей, прилегающих к переходу и имеющих тол­щину не более диффузионной длины Ln или Lp (рис.2б - двойная штри­ховка).

Рис.2 - Действие поля ЕΣ на носители заряда

а) Действие на основные носители заряда. Наличие градиентов концен­траций электронов и дырок обеспечивает тен­денцию к диффузии основные носители заряда через переход. Однако высота потенциального барьера настолько велика (рис.2а), что основные носители заряда не способны преодолеть его и возвращаются в свои области, вследст­вие чего диффузионный ток Iдф=0. Физически это происходит потому, что диффузионные силы стремящиеся перебросить основные носители заряда через переход, оказываются слабее противодействующих им сил электрического поля ЕΣ.

Действие поля ЕΣ на носители заряда.

Из нее видно, что в переходе действуют два электрических поля: Ек и Eобр. Эти поля совпадают по направлению, поэтому результирующее поле и вы­сота потенциального барьера соответственно равны:

Рис.1 - Схема обратного смещения р-n - перехода

Схема обратного смещения р-n - перехода представлена на рис.1.

Обратное смещение

Смещение - эта внешнее напряжение, прикладываемое к выводам перехода Оно может быть прямым и обратным. Прямое смещение - это смещение, при котором плюс источника внешнего напряжения прикладывается к р - области, а минус - к n - области. Обратное смещение - это смещение, при котором минус источника внеш­него напряжения прикладывается р- области, а плюс - к n -области.

Общие сведения о смещении

Смещение р-n - перехода

/ СМЕЩЕНИЕ p-n- ПЕРЕХОДА

СМЕЩЕНИЕ p-n- ПЕРЕХОДА. Прямое смещение p n перехода. Обратное смещение p n перехода, p n переход, свойства p n перехода